[研报PDF]中国半导体IC产业研究报告:“芯”火相传,玉汝于成

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  自2019年6月科创板开板以来,半导体IC二级市场企业数量增势显著,尤其在IC设计环节企业增势明显。一级资本市场经历热情高涨期,2021年迎来新一轮投融资高潮,资本偏爱“短回报周期”环节,IC设计与设备企业进入投资者视野。在中国芯片对外依存度高、芯片自给率仍亟待提升的产业背景下,国家支持力度不断加大,半导体IC产业基础性、先导性、战略性持续凸显。2021年中国集成电路产业规模达到10458亿元,其中,IC设计为4519亿元、IC制造为3176亿元、IC封测为2763亿元。

  集成电路产业链条可分为上游软硬件材料及设备层、中游IC设计与生产层及下游IC产品与应用层。半导体IC产业环节进程不一,按规模与增量可划分不同赛道:半导体设备、IC制造与IC设计环节归类于快速发展赛道,半导体材料与IC封测环节归类于平稳发展赛道;EDA工具与IP授权环节归类于战略发展赛道。对比国内外头部企业经营现况可知,产业链上游EDA工具、材料、设备国内上市企业盈利能力与头部国际企业无明显差距,技术服务(主要为IP授权)厂商毛利率与净利率大幅度低于头部国际企业,产业链中游设计、制造、封测环节国内企业盈利能力整体不及头部国际企业。半导体IC产业链生态建设仍待加强,达到上下协同的规模经济尚需时日。

  集成电路产品可分为数字电路与模拟电路产品,全球规模占比分别稳定在85%与15%上下。数字电路负责处理离散数字信号,产品壁垒因技术生态不一而有所差异,未来数据中心、新能源汽车等需求渐涨带来可观增量,但国内高端产品技术与性能差距仍存,把握发展机遇需要循序渐进;模拟电路负责处理连续模拟信号,贸易摩擦与缺芯潮打破模拟电路产业的封闭供应链,为国内企业带来发展的黄金窗口期。国内企业将以提升精度、速度、稳定性为策略进军高端产品市场。此外,半导体衬底材料历经三个发展阶段,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体崭露头角,其中,第三代半导体功率器件具有高耐压、高功率、高频率特性,是最能体现宽禁带材料优势的半导体器件,下游新能源汽车、光伏发电等应用需求强劲,市场空间广阔。

  政府侧,各级政府引入半导体IC产业需因地制宜、整体规划、长期经营,产业落地是一件体系化的地方行动,不可追求短期效益,也不可唯KPI论;资本侧,中国半导体市场的资本与技术仍然存在错位,资本化进程的加速难以快速催熟企业,未来资本投资将会更看重标的企业的产品力与长久发展能力;厂商侧,随着制程工艺微缩至10nm以内,摩尔定律正在逼近物理、技术和成本的极限。半导体IC企业需尝试以延续、扩展(ChipletSiP)、超越(自组装技术、自旋电子器件、硅光子技术)摩尔定律以获得更多发展机会。未来中国半导体IC产业需政府侧、资本侧、厂商侧多方努力,把握住第三次半导体产业转移浪潮。此外,艾瑞判断,缺芯潮将逐渐由全面短缺转向新能源汽车、工业控制、高性能计算等特定领域,中高端芯片缺货仍将持续。随着芯片自主化浪潮的持续演进,跨界造芯成为半导体IC行业潮流,终端应用厂商纷纷入局,共同促进半导体IC行业生态融合。

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